LM358AD vs LM358DR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von LM358AD von STMicroelectronics und LM358DR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter LM358AD LM358DR
Marke STMicroelectronics Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,15 $0,05
Amplifier Type General Purpose, Low Power General Purpose Operational Amplifier
Number of Channels 2 (Dual) —
Gain-Bandwidth Product (GBP) 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs 0.3 V/µs
Supply Voltage Range (Single) 3 V to 30 V —
Supply Voltage Range (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Input Offset Voltage [DATA_NEEDED: input offset voltage] 2 mV (typ), 7 mV (max)
Input Bias Current 45 nA (typical) —
Quiescent Current (per amplifier) 0.7 mA (typical) —
Input Common-Mode Range 0 V to VCC−1.5 V —
Output Voltage Swing [DATA_NEEDED: output swing to rail] —
Betriebstemperaturbereich 0 °C to +70 °C —
Gehäuse 8-pin SOIC SOIC-8 (D)
Montageart Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (HBM, on inputs) —
Internal Frequency Compensation Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant
Number of Circuits — 2
Gain Bandwidth Product — 700 kHz
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Supply Current (per channel) — 0.7 mA (typ)
Common-Mode Input Range — Extends to ground (V-)
Output Current — 20 mA (typ, short-circuit protected)
Minimum Load Resistance — 2 kΩ
Betriebstemperatur — 0°C to +70°C
Internal Compensation — Yes (unity-gain stable)

Datenblätter & Ressourcen

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