LM358AD vs LM358DR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de LM358AD par STMicroelectronics et LM358DR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre LM358AD LM358DR
Marque STMicroelectronics Texas Instruments
Catégorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,15 $0,05
Amplifier Type General Purpose, Low Power General Purpose Operational Amplifier
Number of Channels 2 (Dual) —
Gain-Bandwidth Product (GBP) 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs 0.3 V/µs
Supply Voltage Range (Single) 3 V to 30 V —
Supply Voltage Range (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Input Offset Voltage [DATA_NEEDED: input offset voltage] 2 mV (typ), 7 mV (max)
Input Bias Current 45 nA (typical) —
Quiescent Current (per amplifier) 0.7 mA (typical) —
Input Common-Mode Range 0 V to VCC−1.5 V —
Output Voltage Swing [DATA_NEEDED: output swing to rail] —
Plage de température de fonctionnement 0 °C to +70 °C —
Boîtier 8-pin SOIC SOIC-8 (D)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (HBM, on inputs) —
Internal Frequency Compensation Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant
Number of Circuits — 2
Gain Bandwidth Product — 700 kHz
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Supply Current (per channel) — 0.7 mA (typ)
Common-Mode Input Range — Extends to ground (V-)
Output Current — 20 mA (typ, short-circuit protected)
Minimum Load Resistance — 2 kΩ
Température de fonctionnement — 0°C to +70°C
Internal Compensation — Yes (unity-gain stable)

Fiches techniques et ressources

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