LM358AD vs LM358DR Comparación

Comparación detallada lado a lado de LM358AD por STMicroelectronics y LM358DR por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro LM358AD LM358DR
Marca STMicroelectronics Texas Instruments
Categoría Amplifier ICs Amplifier ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,15 $0,05
Amplifier Type General Purpose, Low Power General Purpose Operational Amplifier
Number of Channels 2 (Dual) —
Gain-Bandwidth Product (GBP) 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs 0.3 V/µs
Supply Voltage Range (Single) 3 V to 30 V —
Supply Voltage Range (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Input Offset Voltage [DATA_NEEDED: input offset voltage] 2 mV (typ), 7 mV (max)
Input Bias Current 45 nA (typical) —
Quiescent Current (per amplifier) 0.7 mA (typical) —
Input Common-Mode Range 0 V to VCC−1.5 V —
Output Voltage Swing [DATA_NEEDED: output swing to rail] —
Rango de temperatura de funcionamiento 0 °C to +70 °C —
Encapsulado 8-pin SOIC SOIC-8 (D)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (HBM, on inputs) —
Internal Frequency Compensation Yes —
Estado RoHS Compliant Compliant
Number of Circuits — 2
Gain Bandwidth Product — 700 kHz
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Supply Current (per channel) — 0.7 mA (typ)
Common-Mode Input Range — Extends to ground (V-)
Output Current — 20 mA (typ, short-circuit protected)
Minimum Load Resistance — 2 kΩ
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +70°C
Internal Compensation — Yes (unity-gain stable)

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