LM358DG vs LM358DR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von LM358DG von onsemi und LM358DR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter LM358DG LM358DR
Marke onsemi Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Number of Amplifier Channels 2 channels —
Product Type Dual operational amplifier —
Gain-Bandwidth Product 1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs 0.3 V/µs
Betriebsversorgungsspannung 3 V to 32 V —
Minimum Common-Mode Rejection Ratio 65 dB —
Input Offset Voltage 7 mV 2 mV (typ), 7 mV (max)
Common-Mode Input Voltage Range Extends to ground/VEE —
Supply Configuration Single supply or split supply —
Power Drain Low power drain —
Temperature Grade Commercial —
Gehäuse 8-SOIC SOIC-8 (D)
Pin-Anzahl 8 pins —
Montageart Surface mount Surface Mount
RoHS Compliance [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
REACH Compliance [DATA_NEEDED: REACH compliance status] —
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status] —
Amplifier Type — General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits — 2
Gain Bandwidth Product — 700 kHz
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Supply Current (per channel) — 0.7 mA (typ)
Common-Mode Input Range — Extends to ground (V-)
Output Current — 20 mA (typ, short-circuit protected)
Minimum Load Resistance — 2 kΩ
Betriebstemperatur — 0°C to +70°C
Internal Compensation — Yes (unity-gain stable)
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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