LM358DG vs LM358DR Comparación

Comparación detallada lado a lado de LM358DG por onsemi y LM358DR por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro LM358DG LM358DR
Marca onsemi Texas Instruments
Categoría Amplifier ICs Amplifier ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Number of Amplifier Channels 2 channels —
Product Type Dual operational amplifier —
Gain-Bandwidth Product 1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs 0.3 V/µs
Tensión de alimentación de funcionamiento 3 V to 32 V —
Minimum Common-Mode Rejection Ratio 65 dB —
Input Offset Voltage 7 mV 2 mV (typ), 7 mV (max)
Common-Mode Input Voltage Range Extends to ground/VEE —
Supply Configuration Single supply or split supply —
Power Drain Low power drain —
Temperature Grade Commercial —
Encapsulado 8-SOIC SOIC-8 (D)
Recuento de pines 8 pins —
Tipo de montaje Surface mount Surface Mount
RoHS Compliance [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
REACH Compliance [DATA_NEEDED: REACH compliance status] —
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status] —
Amplifier Type — General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits — 2
Gain Bandwidth Product — 700 kHz
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Supply Current (per channel) — 0.7 mA (typ)
Common-Mode Input Range — Extends to ground (V-)
Output Current — 20 mA (typ, short-circuit protected)
Minimum Load Resistance — 2 kΩ
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +70°C
Internal Compensation — Yes (unity-gain stable)
Estado RoHS — Compliant

Hojas de datos y recursos

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