LM358DG vs LM358DR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de LM358DG par onsemi et LM358DR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre LM358DG LM358DR
Marque onsemi Texas Instruments
Catégorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Number of Amplifier Channels 2 channels —
Product Type Dual operational amplifier —
Gain-Bandwidth Product 1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs 0.3 V/µs
Tension d'alimentation de fonctionnement 3 V to 32 V —
Minimum Common-Mode Rejection Ratio 65 dB —
Input Offset Voltage 7 mV 2 mV (typ), 7 mV (max)
Common-Mode Input Voltage Range Extends to ground/VEE —
Supply Configuration Single supply or split supply —
Power Drain Low power drain —
Temperature Grade Commercial —
Boîtier 8-SOIC SOIC-8 (D)
Nombre de broches 8 pins —
Type de montage Surface mount Surface Mount
RoHS Compliance [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
REACH Compliance [DATA_NEEDED: REACH compliance status] —
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status] —
Amplifier Type — General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits — 2
Gain Bandwidth Product — 700 kHz
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Supply Current (per channel) — 0.7 mA (typ)
Common-Mode Input Range — Extends to ground (V-)
Output Current — 20 mA (typ, short-circuit protected)
Minimum Load Resistance — 2 kΩ
Température de fonctionnement — 0°C to +70°C
Internal Compensation — Yes (unity-gain stable)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis