LM358DR vs LM358AD Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von LM358DR von Texas Instruments und LM358AD von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter LM358DR LM358AD
Marke Texas Instruments STMicroelectronics
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,05 $0,15
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose, Low Power
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) [DATA_NEEDED: input offset voltage]
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Betriebstemperatur 0°C to +70°C —
Gehäuse SOIC-8 (D) 8-pin SOIC
Montageart Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Number of Channels — 2 (Dual)
Gain-Bandwidth Product (GBP) — 1.1 MHz
Supply Voltage Range (Single) — 3 V to 30 V
Supply Voltage Range (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Input Bias Current — 45 nA (typical)
Quiescent Current (per amplifier) — 0.7 mA (typical)
Input Common-Mode Range — 0 V to VCC−1.5 V
Output Voltage Swing — [DATA_NEEDED: output swing to rail]
Betriebstemperaturbereich — 0 °C to +70 °C
ESD Protection — Yes (HBM, on inputs)
Internal Frequency Compensation — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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