LM358DR vs LM358AD Comparación

Comparación detallada lado a lado de LM358DR por Texas Instruments y LM358AD por STMicroelectronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro LM358DR LM358AD
Marca Texas Instruments STMicroelectronics
Categoría Amplifier ICs Amplifier ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,05 $0,15
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose, Low Power
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) [DATA_NEEDED: input offset voltage]
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Temperatura de funcionamiento 0°C to +70°C —
Encapsulado SOIC-8 (D) 8-pin SOIC
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 2 (Dual)
Gain-Bandwidth Product (GBP) — 1.1 MHz
Supply Voltage Range (Single) — 3 V to 30 V
Supply Voltage Range (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Input Bias Current — 45 nA (typical)
Quiescent Current (per amplifier) — 0.7 mA (typical)
Input Common-Mode Range — 0 V to VCC−1.5 V
Output Voltage Swing — [DATA_NEEDED: output swing to rail]
Rango de temperatura de funcionamiento — 0 °C to +70 °C
ESD Protection — Yes (HBM, on inputs)
Internal Frequency Compensation — Yes

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