LM358DR vs LM358AD Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de LM358DR par Texas Instruments et LM358AD par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre LM358DR LM358AD
Marque Texas Instruments STMicroelectronics
Catégorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,05 $0,15
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier General Purpose, Low Power
Number of Circuits 2 —
Gain Bandwidth Product 700 kHz —
Slew Rate 0.3 V/µs 0.6 V/µs
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Dual) ±1.5 V to ±16 V —
Supply Current (per channel) 0.7 mA (typ) —
Input Offset Voltage 2 mV (typ), 7 mV (max) [DATA_NEEDED: input offset voltage]
Common-Mode Input Range Extends to ground (V-) —
Output Current 20 mA (typ, short-circuit protected) —
Minimum Load Resistance 2 kΩ —
Température de fonctionnement 0°C to +70°C —
Boîtier SOIC-8 (D) 8-pin SOIC
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Internal Compensation Yes (unity-gain stable) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Number of Channels — 2 (Dual)
Gain-Bandwidth Product (GBP) — 1.1 MHz
Supply Voltage Range (Single) — 3 V to 30 V
Supply Voltage Range (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Input Bias Current — 45 nA (typical)
Quiescent Current (per amplifier) — 0.7 mA (typical)
Input Common-Mode Range — 0 V to VCC−1.5 V
Output Voltage Swing — [DATA_NEEDED: output swing to rail]
Plage de température de fonctionnement — 0 °C to +70 °C
ESD Protection — Yes (HBM, on inputs)
Internal Frequency Compensation — Yes

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis