LMV358SG-13 vs LM2904BIDR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von LMV358SG-13 von Diodes Incorporated und LM2904BIDR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Diodes Incorporated
LMV358SG-13 LMV358SG-13 - Dual 1MHz Rail-to-Rail Op Amp, 8-SO | Diodes Inc

LMV358SG-13 - Dual 1MHz Rail-to-Rail Op Amp, 8-SO | Diodes Inc

LMV358SG-13 ✓ Aktiv
Texas Instruments
LM2904BIDR LM2904BIDR - Dual 36V 1.2MHz Op Amp | SOIC-10 | TI

LM2904BIDR - Dual 36V 1.2MHz Op Amp | SOIC-10 | TI

LM2904BIDR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter LMV358SG-13 LM2904BIDR
Marke Diodes Incorporated Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,13 $0,13
Number of Channels 2 (Dual) 2 (Dual)
Amplifier Type General Purpose, Rail-to-Rail Output —
Gain Bandwidth Product 1 MHz —
Slew Rate 1 V/µs 0.5 V/us (typical)
Supply Voltage Range (Single) 2.7 V to 5.5 V 3 V to 36 V
Ausgangstyp Rail-to-Rail —
Input Type CMOS —
Betriebstemperatur -40 °C to +85 °C —
Gehäuse / Bauform 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT) / 13-inch Reel —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (Unlimited)
RoHS-Status Compliant Compliant
Shutdown No —
Series LMV358 —
Manufacturer — Texas Instruments
Funktion — Industry-standard dual operational amplifier
Supply Voltage Range (Dual) — +/-1.5 V to +/-18 V
Gain-Bandwidth Product (GBW) — 1.2 MHz
Input Offset Voltage — 0.5 mV typical / 3 mV maximum
Input Bias Current — 25 nA typical
Input Common-Mode Range — GND to VCC - 1.5 V (single supply)
Output Swing — Rail-to-rail output
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C
Gehäuse — SOIC-8 (D)
Lead-Free — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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