LMV358SG-13 vs LM2904BIDR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de LMV358SG-13 par Diodes Incorporated et LM2904BIDR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Diodes Incorporated
LMV358SG-13 LMV358SG-13 - Dual 1MHz Rail-to-Rail Op Amp, 8-SO | Diodes Inc

LMV358SG-13 - Dual 1MHz Rail-to-Rail Op Amp, 8-SO | Diodes Inc

LMV358SG-13 ✓ Actif
Texas Instruments
LM2904BIDR LM2904BIDR - Dual 36V 1.2MHz Op Amp | SOIC-10 | TI

LM2904BIDR - Dual 36V 1.2MHz Op Amp | SOIC-10 | TI

LM2904BIDR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre LMV358SG-13 LM2904BIDR
Marque Diodes Incorporated Texas Instruments
Catégorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,13 $0,13
Number of Channels 2 (Dual) 2 (Dual)
Amplifier Type General Purpose, Rail-to-Rail Output —
Gain Bandwidth Product 1 MHz —
Slew Rate 1 V/µs 0.5 V/us (typical)
Supply Voltage Range (Single) 2.7 V to 5.5 V 3 V to 36 V
Type de sortie Rail-to-Rail —
Input Type CMOS —
Température de fonctionnement -40 °C to +85 °C —
Boîtier / Format 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT) / 13-inch Reel —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (Unlimited)
Statut RoHS Compliant Compliant
Shutdown No —
Series LMV358 —
Manufacturer — Texas Instruments
Fonction — Industry-standard dual operational amplifier
Supply Voltage Range (Dual) — +/-1.5 V to +/-18 V
Gain-Bandwidth Product (GBW) — 1.2 MHz
Input Offset Voltage — 0.5 mV typical / 3 mV maximum
Input Bias Current — 25 nA typical
Input Common-Mode Range — GND to VCC - 1.5 V (single supply)
Output Swing — Rail-to-rail output
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Boîtier — SOIC-8 (D)
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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