LMV358SG-13 vs LM2904BIDR Comparación

Comparación detallada lado a lado de LMV358SG-13 por Diodes Incorporated y LM2904BIDR por Texas Instruments. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Diodes Incorporated
LMV358SG-13 LMV358SG-13 - Dual 1MHz Rail-to-Rail Op Amp, 8-SO | Diodes Inc

LMV358SG-13 - Dual 1MHz Rail-to-Rail Op Amp, 8-SO | Diodes Inc

LMV358SG-13 ✓ Activo
Texas Instruments
LM2904BIDR LM2904BIDR - Dual 36V 1.2MHz Op Amp | SOIC-10 | TI

LM2904BIDR - Dual 36V 1.2MHz Op Amp | SOIC-10 | TI

LM2904BIDR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro LMV358SG-13 LM2904BIDR
Marca Diodes Incorporated Texas Instruments
Categoría Amplifier ICs Amplifier ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,13 $0,13
Number of Channels 2 (Dual) 2 (Dual)
Amplifier Type General Purpose, Rail-to-Rail Output —
Gain Bandwidth Product 1 MHz —
Slew Rate 1 V/µs 0.5 V/us (typical)
Supply Voltage Range (Single) 2.7 V to 5.5 V 3 V to 36 V
Tipo de salida Rail-to-Rail —
Input Type CMOS —
Temperatura de funcionamiento -40 °C to +85 °C —
Encapsulado / Carcasa 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT) / 13-inch Reel —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (Unlimited)
Estado RoHS Compliant Compliant
Shutdown No —
Series LMV358 —
Manufacturer — Texas Instruments
Función — Industry-standard dual operational amplifier
Supply Voltage Range (Dual) — +/-1.5 V to +/-18 V
Gain-Bandwidth Product (GBW) — 1.2 MHz
Input Offset Voltage — 0.5 mV typical / 3 mV maximum
Input Bias Current — 25 nA typical
Input Common-Mode Range — GND to VCC - 1.5 V (single supply)
Output Swing — Rail-to-rail output
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Encapsulado — SOIC-8 (D)
Lead-Free — Yes

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