M29F160FB55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F160FB55N3E2 von Micron Technology und M29F160FT55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

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Spezifikationsvergleich

Parameter M29F160FB55N3E2 M29F160FT55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Flash
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,72 $4,90
Speichertyp NOR Flash - Parallel, Asynchronous NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16 Mbit (16777 kbits)
Speicherorganisation 1 M x 16 / 2 M x 8 1M x 16 / 2M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Schnittstelle Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) —
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C -40C to +125C
Gehäuse 48-TSOP I 48-Pin TSOP
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
RoHS-Status ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Status Lead Free —
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Datenblätter & Ressourcen

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