M29F160FB55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F160FB55N3E2 por Micron Technology y M29F160FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ Activo
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Comparación de especificaciones

Parámetro M29F160FB55N3E2 M29F160FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Flash
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,72 $4,90
Tipo de memoria NOR Flash - Parallel, Asynchronous NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16 Mbit (16777 kbits)
Organización de memoria 1 M x 16 / 2 M x 8 1M x 16 / 2M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Interfaz Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) —
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40C to +125C
Encapsulado 48-TSOP I 48-Pin TSOP
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
Estado RoHS ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Status Lead Free —
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

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