M29F160FB55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F160FB55N3E2 par Micron Technology et M29F160FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ Actif
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M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F160FB55N3E2 M29F160FT55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Flash
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,72 $4,90
Type de mémoire NOR Flash - Parallel, Asynchronous NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16 Mbit (16777 kbits)
Organisation de la mémoire 1 M x 16 / 2 M x 8 1M x 16 / 2M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V (operating 4.5 V)
Interface Parallel Parallel
Boot Block Bottom Boot Block (FB) —
Programming Algorithm Embedded byte/word program and erase controller —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40C to +125C
Boîtier 48-TSOP I 48-Pin TSOP
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
Statut RoHS ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Status Lead Free —
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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