M29F160FB55N3F2 vs M29F160FB55N3E2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F160FB55N3F2 von Micron Technology und M29F160FB55N3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29F160FB55N3F2 | M29F160FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Obsolete | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,60 | $2,72 |
| Speichertyp | Parallel NOR Flash | NOR Flash - Parallel, Asynchronous |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Speicherorganisation | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 1 M x 16 / 2 M x 8 |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Versorgungsspannung | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| Betriebstemperatur | -40 to +125 C | -40 C to +125 C |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS-Status | Compliant (lead-free) | ROHS3 Compliant |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block | — | Bottom Boot Block (FB) |
| Programming Algorithm | — | Embedded byte/word program and erase controller |
| Gehäuse | — | 48-TSOP I |
| Packaging | — | Tray |
| Lead Free Status | — | Lead Free |