M29F160FB55N3F2 vs M29F160FB55N3E2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F160FB55N3F2 от Micron Technology и M29F160FB55N3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | M29F160FB55N3F2 | M29F160FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Obsolete | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,60 | $2,72 |
| Тип памяти | Parallel NOR Flash | NOR Flash - Parallel, Asynchronous |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Организация памяти | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 1 M x 16 / 2 M x 8 |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Напряжение питания | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| Рабочая температура | -40 to +125 C | -40 C to +125 C |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| Статус RoHS | Compliant (lead-free) | ROHS3 Compliant |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block | — | Bottom Boot Block (FB) |
| Programming Algorithm | — | Embedded byte/word program and erase controller |
| Корпус | — | 48-TSOP I |
| Packaging | — | Tray |
| Lead Free Status | — | Lead Free |