M29F160FB55N3F2 vs M29F200FB55N3F2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F160FB55N3F2 von Micron Technology und M29F200FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F160FB55N3F2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Obsolete | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,60 | $4,20 |
| Speichertyp | Parallel NOR Flash | Parallel NOR Flash |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Speicherorganisation | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Number of Words | 1000 k | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Versorgungsspannung | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| Betriebstemperatur | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS-Status | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| Gehäuse | — | 48-TSOP I |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |