M29F160FB55N3F2 vs M29F200FB55N3F2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F160FB55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F200FB55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F160FB55N3F2 | M29F200FB55N3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.60 | $4.20 |
| 메모리 유형 | Parallel NOR Flash | Parallel NOR Flash |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| 메모리 구성 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit |
| Number of Words | 1000 k | 128 K (x16 mode) |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| 동작 온도 | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithm |
| Erase | — | Embedded block erase controller |
| 패키지 | — | 48-TSOP I |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |