M29F160FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F160FB55N3F2 von Micron Technology und M29F200FT55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29F160FB55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Obsolete | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,60 | $0,00 |
| Speichertyp | Parallel NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Speicherorganisation | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Number of Words | 1000 k | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Versorgungsspannung | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Top Boot Block |
| Betriebstemperatur | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS-Status | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Gehäuse | — | 48-pin TSOP |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |