M29F160FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F160FB55N3F2 par Micron Technology et M29F200FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29F160FB55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Obsolete | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,60 | $0,00 |
| Type de mémoire | Parallel NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Organisation de la mémoire | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Number of Words | 1000 k | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tension d'alimentation | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Top Boot Block |
| Température de fonctionnement | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Interface | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Boîtier | — | 48-pin TSOP |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |