M29F160FB55N3F2 vs M29F200FT55N3F2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F160FB55N3F2 por Micron Technology y M29F200FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29F160FB55N3F2 | M29F200FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Obsolete | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,60 | $0,00 |
| Tipo de memoria | Parallel NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Organización de memoria | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit |
| Number of Words | 1000 k | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tensión de alimentación | 5 V | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Top Boot Block |
| Temperatura de funcionamiento | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Interfaz | Parallel | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| Estado RoHS | Compliant (lead-free) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Program/Erase | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Encapsulado | — | 48-pin TSOP |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR suffix) |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |