M29F200FB55M3E2 vs M29F200FB55N3E2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F200FB55M3E2 von Micron Technology und M29F200FB55N3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron
M29F200FB55M3E2 ✗ AbgekündigtMicron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ AbgekündigtSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F200FB55M3E2 | M29F200FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Ende des Lebenszyklus | Ende des Lebenszyklus |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $4,45 |
| Speichertyp | Flash - NOR Memory IC | NOR Flash, Parallel |
| Density | 2097 kbits (2 Mbit) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Speicherorganisation | 128K x 16 bits | 256K x 8 / 128K x 16 |
| Number of Words | 128 k | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel, 8/16-bit selectable |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block |
| Program / Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Package Type | 44-SO (SOP44) | 48-pin TSOP I |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Marke | Micron Technology Inc. | — |
| Programming Voltage | [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage] | — |
| Sector Organization | [DATA_NEEDED: sector/erase block organization] | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Memory Cell Type | — | SLC NOR |
| Packaging | — | Tray |