M29F200FB55M3E2 vs M29F200FB55N3E2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F200FB55M3E2 par Micron Technology et M29F200FB55N3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F200FB55M3E2 M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 - 2Mbit 55ns NOR Flash 5V 44-SO | Micron

M29F200FB55M3E2 ✗ Fin de vie
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ Fin de vie

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F200FB55M3E2 M29F200FB55N3E2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Fin de vie Fin de vie
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $4,45
Type de mémoire Flash - NOR Memory IC NOR Flash, Parallel
Density 2097 kbits (2 Mbit) 2 Mbit (2097 kbits)
Organisation de la mémoire 128K x 16 bits 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 128 k 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Interface Parallel Parallel, 8/16-bit selectable
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block
Program / Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 44-SO (SOP44) 48-pin TSOP I
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Marque Micron Technology Inc. —
Programming Voltage [DATA_NEEDED: program/erase supply voltage] —
Sector Organization [DATA_NEEDED: sector/erase block organization] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Memory Cell Type — SLC NOR
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

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