M29F200FB55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F200FB55N3F2 von Micron Technology und M29F160FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Aktiv
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F200FB55N3F2 M29F160FB55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,20 $5,60
Speichertyp Parallel NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
Speicherorganisation 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Number of Words 128 K (x16 mode) 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Bottom Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40 to +125 C
Gehäuse 48-TSOP I —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Schnittstelle Parallel Parallel
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Versorgungsspannung — 5 V
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

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