M29F200FB55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F200FB55N3F2 от Micron Technology и M29F160FB55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр M29F200FB55N3F2 M29F160FB55N3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $4,20 $5,60
Тип памяти Parallel NOR Flash Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
Организация памяти 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Number of Words 128 K (x16 mode) 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Bottom Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
Рабочая температура -40C to +125C -40 to +125 C
Корпус 48-TSOP I —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Интерфейс Parallel Parallel
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] Compliant (lead-free)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Напряжение питания — 5 V
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену