M29F200FB55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F200FB55N3F2 par Micron Technology et M29F160FB55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | M29F200FB55N3F2 | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,20 | $5,60 |
| Type de mémoire | Parallel NOR Flash | Parallel NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Organisation de la mémoire | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Number of Words | 128 K (x16 mode) | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block (FB) | Bottom Boot Block |
| Programming | Embedded byte/word program algorithm | — |
| Erase | Embedded block erase controller | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40 to +125 C |
| Boîtier | 48-TSOP I | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (lead-free) |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Tension d'alimentation | — | 5 V |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |