M29F200FB55N3F2 vs M29F200FB55N3E2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F200FB55N3F2 von Micron Technology und M29F200FB55N3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ AktivMicron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ AbgekündigtSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F200FB55N3F2 | M29F200FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Ende des Lebenszyklus |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,20 | $4,45 |
| Speichertyp | Parallel NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Speicherorganisation | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit | 256K x 8 / 128K x 16 |
| Number of Words | 128 K (x16 mode) | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block (FB) | Bottom Boot Block |
| Programming | Embedded byte/word program algorithm | — |
| Erase | Embedded block erase controller | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 48-TSOP I | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tray |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel, 8/16-bit selectable |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Package Type | — | 48-pin TSOP I |
| Memory Cell Type | — | SLC NOR |