M29F200FB55N3F2 vs M29F200FB55N3E2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29F200FB55N3F2 por Micron Technology e M29F200FB55N3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ AtivoMicron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ Fim de vidaComparação de especificações
| Parâmetro | M29F200FB55N3F2 | M29F200FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Fim de vida |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,20 | $4,45 |
| Tipo de memória | Parallel NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Organização da memória | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit | 256K x 8 / 128K x 16 |
| Number of Words | 128 K (x16 mode) | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block (FB) | Bottom Boot Block |
| Programming | Embedded byte/word program algorithm | — |
| Erase | Embedded block erase controller | — |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Encapsulamento | 48-TSOP I | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tray |
| Interface | Parallel | Parallel, 8/16-bit selectable |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Package Type | — | 48-pin TSOP I |
| Memory Cell Type | — | SLC NOR |