M29F200FB55N3F2 vs M29F200FB55N3E2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F200FB55N3F2 от Micron Technology и M29F200FB55N3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ АктивенMicron Technology
M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FB55N3E2 ✗ Снят с производстваСравнение характеристик
| Параметр | M29F200FB55N3F2 | M29F200FB55N3E2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Снято с производства |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,20 | $4,45 |
| Тип памяти | Parallel NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Организация памяти | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit | 256K x 8 / 128K x 16 |
| Number of Words | 128 K (x16 mode) | 128 K |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block (FB) | Bottom Boot Block |
| Programming | Embedded byte/word program algorithm | — |
| Erase | Embedded block erase controller | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Корпус | 48-TSOP I | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | Tray |
| Интерфейс | Parallel | Parallel, 8/16-bit selectable |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Package Type | — | 48-pin TSOP I |
| Memory Cell Type | — | SLC NOR |