M29F200FT55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F200FT55N3F2 von Micron Technology und M29F160FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29F200FT55N3F2 | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Obsolete |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $5,60 |
| Speichertyp | NOR Flash, Parallel | Parallel NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Speicherorganisation | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | Bottom Boot Block |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40 to +125 C |
| Gehäuse | 48-pin TSOP | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free) |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Versorgungsspannung | — | 5 V |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |