M29F200FT55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F200FT55N3F2 par Micron Technology et M29F160FB55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29F200FT55N3F2 | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $5,60 |
| Type de mémoire | NOR Flash, Parallel | Parallel NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Organisation de la mémoire | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | Bottom Boot Block |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40 to +125 C |
| Boîtier | 48-pin TSOP | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tension d'alimentation | — | 5 V |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |