M29F200FT55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F200FT55N3F2 por Micron Technology y M29F160FB55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29F200FT55N3F2 | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Obsolete |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $5,60 |
| Tipo de memoria | NOR Flash, Parallel | Parallel NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Organización de memoria | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | Bottom Boot Block |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40 to +125 C |
| Encapsulado | 48-pin TSOP | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free) |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tensión de alimentación | — | 5 V |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |