M29F400FB55M3E2 vs M29F400FT55M3E2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F400FB55M3E2 von Micron Technology und M29F400FT55M3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F400FB55M3E2 M29F400FB55M3E2 - 4Mbit 55ns NOR Flash, 44-SO | Micron

M29F400FB55M3E2 - 4Mbit 55ns NOR Flash, 44-SO | Micron

M29F400FB55M3E2 ✓ Aktiv
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M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F400FB55M3E2 M29F400FT55M3E2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $1,98
Speichertyp NOR Flash NOR Flash
Schnittstelle Parallel Parallel
Density 4194 kbits (4 Mbit) —
Speicherorganisation 512K x 8 / 256K x 16 512K x 8 / 256K x 16
Number of Words 256 k 256 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Versorgungsspannung 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Betriebstemperatur -40 C to +125 C (Automotive Grade) -40 C to +125 C
Package Type 44-pin SO (SOP) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
RoHS-Status RoHS-compliant package (E suffix) Compliant
Automotive Grade Yes (Grade 3, 125 C) —
Speichergröße — 4 Mbit (4194 kbits)
Programming — Embedded byte/word program algorithms
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Boot Block — Top boot block
Gehäuse — 44-SO (SOP-44)

Datenblätter & Ressourcen

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