M29F400FB55M3E2 vs M29F400FT55M3E2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F400FB55M3E2 par Micron Technology et M29F400FT55M3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F400FB55M3E2 M29F400FB55M3E2 - 4Mbit 55ns NOR Flash, 44-SO | Micron

M29F400FB55M3E2 - 4Mbit 55ns NOR Flash, 44-SO | Micron

M29F400FB55M3E2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F400FB55M3E2 M29F400FT55M3E2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $1,98
Type de mémoire NOR Flash NOR Flash
Interface Parallel Parallel
Density 4194 kbits (4 Mbit) —
Organisation de la mémoire 512K x 8 / 256K x 16 512K x 8 / 256K x 16
Number of Words 256 k 256 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Tension d'alimentation 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C (Automotive Grade) -40 C to +125 C
Package Type 44-pin SO (SOP) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
Statut RoHS RoHS-compliant package (E suffix) Compliant
Automotive Grade Yes (Grade 3, 125 C) —
Taille de mémoire — 4 Mbit (4194 kbits)
Programming — Embedded byte/word program algorithms
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Boot Block — Top boot block
Boîtier — 44-SO (SOP-44)

Fiches techniques et ressources

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