M29F400FB55M3E2 vs M29F400FT55M3E2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F400FB55M3E2 por Micron Technology y M29F400FT55M3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F400FB55M3E2 M29F400FB55M3E2 - 4Mbit 55ns NOR Flash, 44-SO | Micron

M29F400FB55M3E2 - 4Mbit 55ns NOR Flash, 44-SO | Micron

M29F400FB55M3E2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F400FB55M3E2 M29F400FT55M3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $1,98
Tipo de memoria NOR Flash NOR Flash
Interfaz Parallel Parallel
Density 4194 kbits (4 Mbit) —
Organización de memoria 512K x 8 / 256K x 16 512K x 8 / 256K x 16
Number of Words 256 k 256 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Tensión de alimentación 5 V 5 V
Boot Block Architecture Bottom boot block (FB) —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C (Automotive Grade) -40 C to +125 C
Package Type 44-pin SO (SOP) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tray
Estado RoHS RoHS-compliant package (E suffix) Compliant
Automotive Grade Yes (Grade 3, 125 C) —
Tamaño de memoria — 4 Mbit (4194 kbits)
Programming — Embedded byte/word program algorithms
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Boot Block — Top boot block
Encapsulado — 44-SO (SOP-44)

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