M29F800FB55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 Vergleich
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Micron Technology
M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F800FT55M3E2 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F800FB55M3F2 | M29F800FT55M3E2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | EEPROM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,72 | $3,95 |
| Speichertyp | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 8389 kbits (8 Mbit) | 8389 kbits |
| Speicherorganisation | 512K x 16-bit / 1M x 8-bit | 512K x 16 bit |
| Number of Words | 512 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Boot Block Type | Bottom Boot Block | — |
| Schnittstelle | Parallel, Asynchronous | Parallel |
| Programming | Embedded byte/word program algorithms | — |
| OTP Area | 64 byte | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) | — |
| Gehäuse | 44-pin SO (SOIC-44) | 44-SO (SOP) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (E suffix) |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Speichergröße | — | 8 Mbit |
| Versorgungsspannung | — | 5 V |
| Boot Block Location | — | Top boot block |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 per block |
| Program Algorithm | — | Embedded byte/word program |
| Erase Features | — | Erase suspend and resume |
| Standby Mode | — | Automatic standby, low power |
| Identification | — | Electronic signature |