M29F800FB55M3F2 vs M29F800FT55M3E2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F800FB55M3F2 от Micron Technology и M29F800FT55M3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F800FB55M3F2 M29F800FT55M3E2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs EEPROM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,72 $3,95
Тип памяти NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 8389 kbits (8 Mbit) 8389 kbits
Организация памяти 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 512K x 16 bit
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Type Bottom Boot Block —
Интерфейс Parallel, Asynchronous Parallel
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) —
Корпус 44-pin SO (SOIC-44) 44-SO (SOP)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Размер памяти — 8 Mbit
Напряжение питания — 5 V
Boot Block Location — Top boot block
Program/Erase Cycles — 100,000 per block
Program Algorithm — Embedded byte/word program
Erase Features — Erase suspend and resume
Standby Mode — Automatic standby, low power
Identification — Electronic signature

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену