M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F800FB55N3F2 von Micron Technology und M29F800FT55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F800FB55N3F2 | M29F800FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,47 | $0,78 |
| Memory Density | 8389 kbits (8 Mbit) | — |
| Speicherorganisation | 1M x 8 / 512K x 16 | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit |
| Versorgungsspannung | 5 V | 5 V (single supply) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Schnittstellentyp | Parallel NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Top boot block (T) |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Package Type | 48-pin TSOP1 | — |
| Package Shape | Rectangular (JESD designation TSOP1) | — |
| Terminal Count | 48 | — |
| JESD-609 Termination Code | e3 (lead-free) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel (T/R) |
| RoHS-Status | Compliant (lead-free terminations) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Speichertyp | — | NOR Flash, Parallel |
| Speichergröße | — | 8 Mbit |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Programming Voltage | — | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) |
| Gehäuse | — | 48-pin TSOP |
| Erase Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |