M29F800FB55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F800FB55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F800FT55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29F800FB55N3F2 M29F800FT55N3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.47 $0.78
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
메모리 구성 1M x 8 / 512K x 16 1M x 8 bit / 512K x 16 bit
공급 전압 5 V 5 V (single supply)
Access Time 55 ns 55 ns
인터페이스 유형 Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Top boot block (T)
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
동작 온도 -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 —
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel (T/R)
RoHS 상태 Compliant (lead-free terminations) [DATA_NEEDED: RoHS status]
메모리 유형 — NOR Flash, Parallel
메모리 크기 — 8 Mbit
인터페이스 — Parallel
Programming Voltage — 5.0 V VCC (no 12 V VPP required)
패키지 — 48-pin TSOP
Erase Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]

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