M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F800FT55M3E2 von Micron Technology und M29F800FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

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M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

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M29F800FB55N3F2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F800FT55M3E2 M29F800FB55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie EEPROM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,95 $2,47
Speichertyp NOR Flash —
Speichergröße 8 Mbit —
Speicherorganisation 512K x 16 bit 1M x 8 / 512K x 16
Schnittstelle Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
Versorgungsspannung 5 V 5 V
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Gehäuse 44-SO (SOP) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant (E suffix) Compliant (lead-free terminations)
Density 8389 kbits —
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Schnittstellentyp — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)
Packaging — Tape & Reel (T/R)

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