M29F800FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F800FT55N3F2 von Micron Technology und M29F800FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F800FT55N3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,78 | $2,47 |
| Speichertyp | NOR Flash, Parallel | — |
| Speichergröße | 8 Mbit | — |
| Speicherorganisation | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Versorgungsspannung | 5 V (single supply) | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | Bottom Boot Block |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | — |
| Gehäuse | 48-pin TSOP | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel (T/R) |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free terminations) |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Schnittstellentyp | — | Parallel NOR |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |