M29F800FT55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F800FT55N3F2 от Micron Technology и M29F800FB55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F800FT55N3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,78 | $2,47 |
| Тип памяти | NOR Flash, Parallel | — |
| Размер памяти | 8 Mbit | — |
| Организация памяти | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Напряжение питания | 5 V (single supply) | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Boot Block Architecture | Top boot block (T) | Bottom Boot Block |
| Programming Voltage | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) | — |
| Корпус | 48-pin TSOP | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | Tape & Reel (T/R) |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Erase Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free terminations) |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Тип интерфейса | — | Parallel NOR |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |