M29W128GH70ZA3E vs M29W128GH70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W128GH70ZA3E von Micron Technology und M29W128GH70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70ZA3E ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29W128GH70ZA3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,70 | $0,00 |
| Speichertyp | NOR Flash | NOR Flash |
| Speichergröße | 128 Mbit | 128 Mbit (16 MB) |
| Speicherorganisation | 8M x 16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel (asynchronous) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Technology | SLC NOR | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Gehäuse | 64-TBGA (10x13 mm) | 56-TSOP |
| Versorgungsspannung | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 2.7 V to 3.6 V |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GH suffix) | — |
| Program/Erase Voltage | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| CFI Compliant | [DATA_NEEDED: CFI compliance] | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| Datenbusbreite | — | 16 bit (byte/word selectable) |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |