M29W128GH70ZA3E vs M29W128GH70N3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W128GH70ZA3E от Micron Technology и M29W128GH70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70ZA3E ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | M29W128GH70ZA3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,70 | $0,00 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash |
| Размер памяти | 128 Mbit | 128 Mbit (16 MB) |
| Организация памяти | 8M x 16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| Интерфейс | Parallel | Parallel (asynchronous) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Technology | SLC NOR | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Корпус | 64-TBGA (10x13 mm) | 56-TSOP |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 2.7 V to 3.6 V |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GH suffix) | — |
| Program/Erase Voltage | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| CFI Compliant | [DATA_NEEDED: CFI compliance] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit (byte/word selectable) |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |