M29W128GH70ZA3E vs M29W128GL70ZA3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W128GH70ZA3E von Micron Technology und M29W128GL70ZA3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70ZA3E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29W128GH70ZA3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,70 | $7,25 |
| Speichertyp | NOR Flash | NOR Flash |
| Speichergröße | 128 Mbit | — |
| Speicherorganisation | 8M x 16 | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Technology | SLC NOR | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Gehäuse | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| Versorgungsspannung | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 3V / 3.3V |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GH suffix) | — |
| Program/Erase Voltage | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| CFI Compliant | [DATA_NEEDED: CFI compliance] | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |