M29W128GH70ZA3E vs M29W128GL70ZA3E Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29W128GH70ZA3E от Micron Technology и M29W128GL70ZA3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70ZA3E ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29W128GH70ZA3E | M29W128GL70ZA3E |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,70 | $7,25 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash |
| Размер памяти | 128 Mbit | — |
| Организация памяти | 8M x 16 | 16M x 8 / 8M x 16 |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Technology | SLC NOR | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Корпус | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-TBGA (10x13 mm) |
| Напряжение питания | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | 3V / 3.3V |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Boot Block Architecture | Bottom boot (GH suffix) | — |
| Program/Erase Voltage | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| CFI Compliant | [DATA_NEEDED: CFI compliance] | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 128 Mbit |
| Boot Block Location | — | Bottom boot (GL variant) |
| Bus Width Selection | — | BYTE pin (x8/x16) |
| Packaging | — | Tray |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA Code] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] |