M29W128GH70ZA3E vs M29W128GL70ZA3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W128GH70ZA3E 제조: Micron Technology 및 M29W128GL70ZA3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W128GH70ZA3E M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron

M29W128GH70ZA3E ✓ 활성
Micron Technology
M29W128GL70ZA3E M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W128GH70ZA3E M29W128GL70ZA3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.70 $7.25
메모리 유형 NOR Flash NOR Flash
메모리 크기 128 Mbit —
메모리 구성 8M x 16 16M x 8 / 8M x 16
인터페이스 Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
Technology SLC NOR —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
패키지 64-TBGA (10x13 mm) 64-TBGA (10x13 mm)
공급 전압 [DATA_NEEDED: supply voltage range] 3V / 3.3V
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Boot Block Architecture Bottom boot (GH suffix) —
Program/Erase Voltage [DATA_NEEDED: program/erase voltage] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
CFI Compliant [DATA_NEEDED: CFI compliance] —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Moisture Sensitivity Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Density — 128 Mbit
Boot Block Location — Bottom boot (GL variant)
Bus Width Selection — BYTE pin (x8/x16)
Packaging — Tray
Product Longevity Program — No
FBGA Code — [DATA_NEEDED: FBGA Code]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance]

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