M29W160EB70N3E vs M29W160EB70N3F Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W160EB70N3E von Micron Technology und M29W160EB70N3F von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29W160EB70N3E | M29W160EB70N3F |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $1,76 | $1,01 |
| Speichertyp | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| Speicherorganisation | 2M x8 / 1M x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel (Byte/Word-wide) |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | 10 us (typical) | 10 us per byte/word (typical) |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gehäuse / Bauform | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tape & Reel |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Boot Block Position | — | Bottom boot block |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Qualification | — | Automotive, AEC-Q100 |
| Erase Architecture | — | Block erase (boot block + main blocks) |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI compliant) |
| Reset Input | — | RESET# hardware reset pin |