M29W160EB70N3E vs M29W160EB70N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W160EB70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W160EB70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W160EB70N3E | M29W160EB70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.76 | $1.01 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| 메모리 구성 | 2M x8 / 1M x16 | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel (Byte/Word-wide) |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | 10 us (typical) | 10 us per byte/word (typical) |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 / 케이스 | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | Tape & Reel |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Boot Block Position | — | Bottom boot block |
| Bus Configuration | — | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Qualification | — | Automotive, AEC-Q100 |
| Erase Architecture | — | Block erase (boot block + main blocks) |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI compliant) |
| Reset Input | — | RESET# hardware reset pin |